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三星 8 纳米工艺“再活一届”：性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%

来源: IT之家 · 发布于

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三星 8 纳米工艺“再活一届”：性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%

IT之家 10 月 21 日消息，科技媒体 gurufocus 昨日（10 月 20 日）发布博文， 报道称三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。 据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要， 相较上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8% ，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。 三星计划太平洋标准时间 12 月 14 日下午 4:20~4:45（IT之家注：北京时间 12 月 15 日星期二上午 8:20 – 8:45）在 IEDM 2026 活动中公开演讲。 与最先进制程普遍依赖 EUV（极紫外）光刻不同，8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线，继续利用现有 DUV（深紫外）产线。这有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。 该平台主要面向边缘…

要点

  • IT之家 10 月 21 日消息，科技媒体 gurufocus 昨日（10 月 20 日）发布博文， 报道称三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。
  • 据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要， 相较上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8% ，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。
  • 三星计划太平洋标准时间 12 月 14 日下午 4:20~4:45（IT之家注：北京时间 12 月 15 日星期二上午 8:20 – 8:45）在 IEDM 2026 活动中公开演讲。
  • 与最先进制程普遍依赖 EUV（极紫外）光刻不同，8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线，继续利用现有 DUV（深紫外）产线。这有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。

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