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消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存,分别优化吞吐量与随机性能

来源: IT之家 · 发布于

消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存,分别优化吞吐量与随机性能

<p data-vmark="1d73">IT之家 10 月 12 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品,除此前已公布的 <a href="https://www.ithome.com/0/985/746.htm" target="_blank">zNAND-O</a> 外还有 zNAND-T 与…

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