科技
长鑫技术新突破,融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相
来源: IT之家 · 发布于

<p data-vmark="2069">IT之家 10 月 10 日消息,长鑫存储 4F² DRAM 架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲,全面介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累,<strong>并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品</strong>。</p><p…
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